Please use this identifier to cite or link to this item: http://artemis.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/13257
Title: Οπτοηλεκτρονικές Ιδιότητες Transistor Επίδρασης Πεδίου Από Γραφένιο
Authors: Μάρκος Κοκαβέσης
Τσαμάκης Δημήτριος
Keywords: γραφένιο
field effect transistor γραφενίου (gfet)
μεταφορά γραφενίου
μεταλλική επαφή
πλατίνα
αντίσταση επαφής
μάσκα λιθογραφίας
φωτοανιχνευτής
φωτορεύματα
ακτινοβολία led
ηλεκτρικός χαρακτηρισμός
σημείο dirac
μεταβολή σημείου dirac.
Issue Date: 14-Oct-2016
Abstract: Στόχος της παρούσας διπλωματικής αποτέλεσε η μελέτη των FieldEffect Transistor Γραφενίου με back gate (ηλεκτρόδιο πύλης στο υπόστρωμα).Συγκεκριμένα σχεδιάσθηκε μάσκα λιθογραφίας για τα GFET, εν συνεχείαακολούθησε η κατασκευή αυτών στον καθαρό χώρο του ΙνστιτούτοΝανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογιας. Στο επόμενο βήμα οι διατάξεις τωνGFET χαρκτηρίστικαν ηλεκτρικά και εξήχθησαν οι καμπύλες λειτουργίας τους.Τέλος, οι διατάξεις υποβλήθησαν σε έκθεση ακτινοβολίας διάφορων μηκώνκύματος (ορατού και υπέρυθρου φωτός) με σκοπό την εξέταση της μεταβολήςτων χαρακτηριστικών καμπυλών λειτουργίας τους. Οι μεταβολές αυτέςπαρουσιάζονται συναρτήσει του μήκους κύματος της ακτινοβολίας καιπροσδίδουν στα GFET ιδιότητες φωτοανιχνευτή.
URI: http://artemis-new.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/13257
Appears in Collections:Διπλωματικές Εργασίες - Theses

Files in This Item:
File SizeFormat 
DT2016-0240.pdf4.68 MBAdobe PDFView/Open


Items in Artemis are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.