1. Artemis
  2. ΣΗΜΜΥ
  3. Διπλωματικές Εργασίες - Theses
Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: http://artemis.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/13257
Τίτλος: Οπτοηλεκτρονικές Ιδιότητες Transistor Επίδρασης Πεδίου Από Γραφένιο
Συγγραφείς: Μάρκος Κοκαβέσης
Τσαμάκης Δημήτριος
Λέξεις κλειδιά: γραφένιο
field effect transistor γραφενίου (gfet)
μεταφορά γραφενίου
μεταλλική επαφή
πλατίνα
αντίσταση επαφής
μάσκα λιθογραφίας
φωτοανιχνευτής
φωτορεύματα
ακτινοβολία led
ηλεκτρικός χαρακτηρισμός
σημείο dirac
μεταβολή σημείου dirac.
Ημερομηνία έκδοσης: 14-Οκτ-2016
Περίληψη: Στόχος της παρούσας διπλωματικής αποτέλεσε η μελέτη των FieldEffect Transistor Γραφενίου με back gate (ηλεκτρόδιο πύλης στο υπόστρωμα).Συγκεκριμένα σχεδιάσθηκε μάσκα λιθογραφίας για τα GFET, εν συνεχείαακολούθησε η κατασκευή αυτών στον καθαρό χώρο του ΙνστιτούτοΝανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογιας. Στο επόμενο βήμα οι διατάξεις τωνGFET χαρκτηρίστικαν ηλεκτρικά και εξήχθησαν οι καμπύλες λειτουργίας τους.Τέλος, οι διατάξεις υποβλήθησαν σε έκθεση ακτινοβολίας διάφορων μηκώνκύματος (ορατού και υπέρυθρου φωτός) με σκοπό την εξέταση της μεταβολήςτων χαρακτηριστικών καμπυλών λειτουργίας τους. Οι μεταβολές αυτέςπαρουσιάζονται συναρτήσει του μήκους κύματος της ακτινοβολίας καιπροσδίδουν στα GFET ιδιότητες φωτοανιχνευτή.
URI: http://artemis-new.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/13257
Εμφανίζεται στις συλλογές:Διπλωματικές Εργασίες - Theses

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Αρχείο ΜέγεθοςΜορφότυπος 
DT2016-0240.pdf4.68 MBAdobe PDFΕμφάνιση/Άνοιγμα
Δείξε την πλήρη περιγραφή του τεκμηρίου


Όλα τα τεκμήρια του δικτυακού τόπου προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.