Οπτοηλεκτρονικές Ιδιότητες Transistor Επίδρασης Πεδίου Από Γραφένιο

Μάρκος Κοκαβέσης

Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο

Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Καλώς ήρθατε στο Άρτεμις

Σκοπός του Άρτεμις είναι η συστηματική αρχειοθέτηση και διαδοση της πνευματικής παραγωγής της Σχολής Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών του Εθνικού Μετσόβιου Πολυτεχνείου, με τη βοήθεια της τεχνολογίας των ψηφιακών βιβλιοθηκών.

Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: http://artemis.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/13257

Πλήρες αρχείο μεταδεδομένων

Πεδίο DC	Τιμή	Γλώσσα
dc.contributor.author	Μάρκος Κοκαβέσης
dc.date.accessioned	2018-07-23T09:01:28Z	-
dc.date.available	2018-07-23T09:01:28Z	-
dc.date.issued	2016-10-14
dc.date.submitted	2016-10-10
dc.identifier.uri	http://artemis-new.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/13257	-
dc.description.abstract	Στόχος της παρούσας διπλωματικής αποτέλεσε η μελέτη των FieldEffect Transistor Γραφενίου με back gate (ηλεκτρόδιο πύλης στο υπόστρωμα).Συγκεκριμένα σχεδιάσθηκε μάσκα λιθογραφίας για τα GFET, εν συνεχείαακολούθησε η κατασκευή αυτών στον καθαρό χώρο του ΙνστιτούτοΝανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογιας. Στο επόμενο βήμα οι διατάξεις τωνGFET χαρκτηρίστικαν ηλεκτρικά και εξήχθησαν οι καμπύλες λειτουργίας τους.Τέλος, οι διατάξεις υποβλήθησαν σε έκθεση ακτινοβολίας διάφορων μηκώνκύματος (ορατού και υπέρυθρου φωτός) με σκοπό την εξέταση της μεταβολήςτων χαρακτηριστικών καμπυλών λειτουργίας τους. Οι μεταβολές αυτέςπαρουσιάζονται συναρτήσει του μήκους κύματος της ακτινοβολίας καιπροσδίδουν στα GFET ιδιότητες φωτοανιχνευτή.
dc.language	Greek
dc.subject	γραφένιο
dc.subject	field effect transistor γραφενίου (gfet)
dc.subject	μεταφορά γραφενίου
dc.subject	μεταλλική επαφή
dc.subject	πλατίνα
dc.subject	αντίσταση επαφής
dc.subject	μάσκα λιθογραφίας
dc.subject	φωτοανιχνευτής
dc.subject	φωτορεύματα
dc.subject	ακτινοβολία led
dc.subject	ηλεκτρικός χαρακτηρισμός
dc.subject	σημείο dirac
dc.subject	μεταβολή σημείου dirac.
dc.title	Οπτοηλεκτρονικές Ιδιότητες Transistor Επίδρασης Πεδίου Από Γραφένιο
dc.type	Diploma Thesis
dc.description.pages	85
dc.contributor.supervisor	Τσαμάκης Δημήτριος
dc.department	Τομέας Ηλεκτρομαγνητικών Εφαρμογών Ηλεκτροοπτικής & Ηλεκτρονικών Υλικών
dc.organization	ΕΜΠ, Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών
Εμφανίζεται στις συλλογές:	Διπλωματικές Εργασίες - Theses

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:

Αρχείο	Μέγεθος	Μορφότυπος
DT2016-0240.pdf	4.68 MB	Adobe PDF	Εμφάνιση/Άνοιγμα

Δείξε τη σύντομη περιγραφή του τεκμηρίου

Όλα τα τεκμήρια του δικτυακού τόπου προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.