Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: http://artemis.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/15922
Τίτλος: Μελέτη Επιδράσεων Στο Ηλεκτροεγκεφαλογράφημα Κατά Την Έκθεση Στην Ακτινοβολία Τερματικών Συσκευών Κινητών Επικοινωνιών Τρίτης Γενιάς: Υπολογιστικός Σχεδιασμός Πειράματος Εθελοντών
Συγγραφείς: Ορέστης Καζασίδης
Νικήτα Κωνσταντίνα
Λέξεις κλειδιά: ρυθμός ειδικής απορρόφησης
μέθοδος πεπερασμένων διαφορών στο πεδίο του χρόνου
ηλεκτροεγκεφαλογράφημα (ηεγ)
σήμα umts
ηλεκτρομαγνητική δοσιμετρία
σύστημα τοποθέτησης ηλεκτροδίων 10-20
παράλληλη και κάθετη πόλωση
μοντέλο κεφαλιού ella
semcad-x
κώδικας python
Ημερομηνία έκδοσης: 1-Μαρ-2011
Περίληψη: Η διπλωματική εργασία εντάσσεται στο πλαίσιο έρευνας του εργαστηρίου Βιοϊατρικών Προσομοιώσεων και Απεικονιστικής Τεχνολογίας (Biomedical Simulations and Imaging Unit - BIOSIM) του Εθνικού Μετσόβιου Πολυτεχνείου (National Technical University of Athens - NTUA) με θέμα την αποτίμηση των πιθανών αλλαγών στις καταγραφές ηλεκτροεγκεφαλογραφήματος και προκλητών δυναμικών κατά τη διάρκεια ακουστικών ερεθισμάτων, λόγω έκθεσης σε ηλεκτρομαγνητικά πεδία από τερματικές συσκευές κινητών επικοινωνιών τρίτης γενιάς (3G). Αναλυτικότερα, αφορά την προετοιμασία πειράματος εθελοντών που θα διεξαχθεί σε συνεργασία με το Ερευνητικό Πανεπιστημιακό Ινστιτούτο Ψυχικής Υγιεινής (ΕΠΙΨΥ). Το εν λόγω πείραμα αποσκοπεί στην ανάλυση του ηλεκτροεγκεφαλογραφήματος εθελοντών που λαμβάνεται σε συνθήκες έκθεσης σε ακτινοβολία ραδιοσυχνοτήτων (σήμα UMTS, 1966MHz) μέσα σε κλειστό θάλαμο που αποκλείει εξωτερικές παρεμβολές. Στο πλαίσιο της διπλωματικής εργασίας, μοντελοποιήθηκε η κάσκα ηλεκτροδίων που θα χρησιμοποιηθεί στο πείραμα και ελέγχθηκε μέσω προσομοιώσεων με ένα επίπεδο πολυστρωματικό μοντέλο βιολογικών ιστών. Πραγματοποιήθηκε αναλυτική δοσιμετρική μελέτη για μοντέλο κεφαλιού με χρήση της Μεθόδου των Πεπερασμένων Διαφορών στο Πεδίο του Χρόνου (Finite Difference Time Domain - FDTD). Εξετάστηκε η κατανομή του Ρυθμού Ειδικής Απορρόφησης (Specific Absorption Rate - SAR) και η επίδραση της παρουσίας των ηλεκτροδίων καταγραφής ΗΕΓ και της σχετικής τοποθέτησης των καλωδίων τους στην απορρόφηση ισχύος από τους εγκεφαλικούς ιστούς.
URI: http://artemis-new.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/15922
Εμφανίζεται στις συλλογές:Διπλωματικές Εργασίες - Theses

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Αρχείο ΜέγεθοςΜορφότυπος 
DT2011-0020.pdf5.06 MBAdobe PDFΕμφάνιση/Άνοιγμα


Όλα τα τεκμήρια του δικτυακού τόπου προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.