Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: http://artemis.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/17646
Τίτλος: Σχεδίαση Ολοκληρωμέμου ευρυζωνικού Ενισχυτή Χαμηλού Θορύβου εύρους λειτουργίας 1-7 GHz σε τεχνολογία CMOS 65nm
Συγγραφείς: Κάιλας, Κωνσταντίνος
Παπανάνος Ιωάννης
Λέξεις κλειδιά: Ενισχυτής Χαμηλού Θορύβου
ευρυζωνικός
65nm
CMOS
Ημερομηνία έκδοσης: 15-Ιου-2020
Περίληψη: Στην παρούσα διπλωματική εργασία γίνεται παρουσίαση της μεθοδολογίας σχεδίασης ολοκλη-ρωμένων ενισχυτών ραδιοφωνικών συχνοτήτων σε τεχνολογίας CMOS. Παρουσιάζονται οι τεχνικές σχεδίασης, οι προδιαγραφές που τίθενται κατά τη σχεδίαση και οι προκλήσεις που θέτει η συνεχώς αυξανόμενη κλίμακα ολοκλήρωσης στη σχεδίαση ενισχυτών χαμηλού θορύβου. Το κυριο τμήμα της εργασίας αποτελεί η πλήρης σχεδίαση ενός ευρυζωνικού Ενισχυτή Χαμηλού Θορύβου σε τεχνολογία CMOS 65 nm, με συχνότητα λειτουργίας το εύρος 1-7 GHz με μέση τιμή θορύβου 2.3 dB και υψηλή γραμμικότητα, αξιοποιήσιμο για διάφορες εφαρμογές αυτού του εύρους συχνοτήτων (Bluetooth, Cellular networks, WiFi κτλ). Το σχεδιασμένο κύκλωμα εμφανίζει χαμηλό συντελεστή θορύβου NF και υψηλή γραμμικότητα σε σχέση με ήδη υπάρχουσες υλοιποιήσεις.
URI: http://artemis.cslab.ece.ntua.gr:8080/jspui/handle/123456789/17646
Εμφανίζεται στις συλλογές:Διπλωματικές Εργασίες - Theses

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Αρχείο Περιγραφή ΜέγεθοςΜορφότυπος 
Διπλωματική ΚΑΙΛΑΣ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ.pdf2 MBAdobe PDFΕμφάνιση/Άνοιγμα


Όλα τα τεκμήρια του δικτυακού τόπου προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.